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產(chǎn)品詳細(xì)頁NeuroNexus 神經(jīng)電極
- 產(chǎn)品型號:NeuroNexus
- 更新時(shí)間:2024-11-07
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產(chǎn)品介紹
1. 業(yè)界*的硅電極--標(biāo)準(zhǔn)電極
記錄和刺激單個(gè)神經(jīng)元,多個(gè)神經(jīng)元和局部場電位。
NeuroNexus的標(biāo)準(zhǔn)電極使用了*的硅微電子機(jī)械(MEMS)技術(shù),由密歇根大學(xué)制造完成。NeuroNexus提升了技術(shù),具有能生產(chǎn)更小,更靈活的設(shè)備,這些設(shè)備都非常的精確,具有高度可重復(fù)性、機(jī)械性、幾何學(xué)和電學(xué)的特性。終, NeuroNexus用戶可以在每次使用我們的電極時(shí)獲得*的記錄結(jié)果。
NeuroNexus提供了多種用于單神經(jīng)元、多神經(jīng)元和局部場電位(LFP)的記錄和刺激的硅電極陣列。為了幫助研究人員定位大腦中不同的結(jié)構(gòu),標(biāo)準(zhǔn)電極開發(fā)了大量的設(shè)計(jì)模板,每種設(shè)計(jì)具有不同的參數(shù),包括:長度(跨皮質(zhì)層),柄的數(shù)量(跨皮質(zhì)柱),電極位點(diǎn)面積(針對單個(gè)或多個(gè)神經(jīng)元),電極位點(diǎn)間距(針對特定區(qū)域)和位點(diǎn)布局。
若您需要配置電極,可以在電極陣列設(shè)計(jì)中找到符合您需求的電極陣列,或直接與我們聯(lián)系。一旦你選擇了一個(gè)電極陣列的設(shè)計(jì)方案,并找到與之相匹配的連接器package,以便它可以與你的headstage連接。
技術(shù)參數(shù)
電極位點(diǎn) 金屬材質(zhì) | 銥 (標(biāo)準(zhǔn)), 鉑 (定制), 金(定制) |
電極厚度 | 15 μm or 50 μm (不同的設(shè)計(jì)) |
電極長度 | 2, 3, 4, 5, 6, 10, 15 mm (不同的設(shè)計(jì)) |
通道數(shù) | 8, 16, 32, 64, 128, 256 (不同的設(shè)計(jì)) |
2. 光遺傳電極-美國NeuroNexus電極
產(chǎn)品介紹
NeuroNexus擁有很多不同的產(chǎn)品來支持光遺傳學(xué)的研究。我們的光遺傳產(chǎn)品包括光電極、植入式光纖、光源系統(tǒng)及其配件。如果您是光遺傳學(xué)領(lǐng)域的新手,我們還為您提供多種不同的光遺傳學(xué)產(chǎn)品讓您順利開始您的科學(xué)研究。
任何標(biāo)準(zhǔn)電極陣列都可以升級為一個(gè)光電極,使得光刺激和神經(jīng)記錄同步進(jìn)行。將光纖(直徑105μm)放在電極柄的頂部,光纖的*位于電極記錄位點(diǎn)以上200μm(距離可根據(jù)要求定制)。
NeuroNexus現(xiàn)在提供用于擴(kuò)展光遺傳學(xué)應(yīng)用的多光纖電極,其結(jié)構(gòu)緊湊并且堅(jiān)固。使用蝕刻光纖(65μm),每個(gè)電極(每個(gè)電極陣列柄一根光纖)可以連接多達(dá)8根光纖。由于光纖和NeuroNexus微電極陣列的物理限制,所以會有一些設(shè)計(jì)限制。多光纖光電僅適用于LP(無套管)package。
規(guī)格:
光纖 | 熔融石英, 50 μm or 105μm 核心, 多模 |
外徑 | 62.5 μm (蝕刻), 125 μm, or 400 μm |
重量(連接器) | < 0.5 g |
傳輸率 | > 75% (50 μm 核心> 到 105 μm 核心) |
數(shù)值孔徑 | 0.22, 0.66 |
持續(xù)性 | 經(jīng)過40次連接后傳輸變化< 5% |
旋轉(zhuǎn)測試 | 1次旋轉(zhuǎn)后變化< 2% |
連接強(qiáng)度 | 掙脫力>300g(典型) |
3. 給藥電極_NeuroNexus藥物輸送電極
藥物輸送+化學(xué)感應(yīng)
結(jié)合藥物輸送和電生理記錄。
在E16-20mm-100-177電極陣列上可以放置藥物引導(dǎo)管將藥物輸送和電生理記錄結(jié)合起來。藥物引導(dǎo)管放置在微電極陣列側(cè)面,藥物從引導(dǎo)管的末端輸出。引導(dǎo)管接頭與標(biāo)準(zhǔn)HPLC適配器兼容,并與外部注射泵連接。通常情況下,使用基于壓力的送藥方式。
與我們的眾多產(chǎn)品相同,給藥電極也可以定制。
可以調(diào)整NeuroNexus電極以檢測神經(jīng)化學(xué)和電生理信號??梢酝ㄟ^分析由離子選擇膜涂覆的電極位點(diǎn)的在體循環(huán)伏安法來實(shí)現(xiàn)化學(xué)檢測。NeuroNexus不提供涂層,但可以提供描述涂層方法的設(shè)計(jì)建議和參考。
規(guī)格:
電極位點(diǎn)的金屬材質(zhì) | 鉑 |
電極整體厚度 | ≈ 185 μm |
引導(dǎo)管*角度 | 90°(標(biāo)準(zhǔn)) 45°(定制) |
植入深度 | 15-18 mm |
電極區(qū)域 | 1.5 mm |
通道數(shù) | 16 |
可用的package | D16,DM16 |
4. 表面電極: ECoG
柔軟的聚合物表面網(wǎng)格,具有高分辨率。
表面陣列電極是使用聚合物MEMS技術(shù)制造的,能夠貼合大腦表面的超柔性電極。表面電極可用于記錄包括腦,脊髓,外周神經(jīng)和心臟等各種部位的生理信號(如EEG,ECoG,EMG和ECG)。(詳見我們的神經(jīng)心理學(xué)目錄。)這類電極還可以和標(biāo)準(zhǔn)電極結(jié)合使用,實(shí)現(xiàn)表面和深部腦區(qū)的同時(shí)記錄。表面電極還可以與其他神經(jīng)連接。
NeuroNexus 提供多種電極設(shè)計(jì),適用于從小鼠到非人靈長類動物。
規(guī)格:
電極位點(diǎn)金屬材質(zhì) | Platinum |
電極厚度 | 15 μm |
電極長度 | 5, 6, 10, 20, 30 mm (varies by design) |
通道數(shù) | 16, 32, 64 (varies by design) |
5. NeuroNexus 3D電極_Matrix Array
3D記錄不同空間位置的神經(jīng)細(xì)胞。
多功能配置、性能可靠。
NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 是采用成熟的硅技術(shù)設(shè)計(jì)的新的三維電極,用于像靈長類這樣的大型動物的急性和慢性實(shí)驗(yàn)。
Matrix Array™同時(shí)跨越皮質(zhì)層和皮質(zhì)柱,覆蓋大片區(qū)域,記錄大量的神經(jīng)信息。
Matrix Array可以直接使用我們標(biāo)準(zhǔn)的2D硅電極組裝,每一片硅電極的間距和陣列形式都可以定制,可以靈活自如地設(shè)計(jì)出跨越任何解剖結(jié)構(gòu)的3D電極。Matrix Array通過一個(gè)超柔的線纜連接到電極連接器上。
每個(gè)電極都提供了配套的工具(包括測量工具,模擬裝配,螺絲等),協(xié)助您提高電極記錄的成功率。
從左上角開始順時(shí)針順序:單核Matrix Array™,雙核Matrix Array™,多核Matrix Array™電極與表面電極,單核Matrix Array™與表面電極
NeuroNexus 3D電極_Matrix Array有高度靈活的配置。各種配置都可以擴(kuò)展傳統(tǒng)的記錄區(qū)域,能夠與從腦表面到皮質(zhì)下結(jié)構(gòu)的任何部分相互連接。單個(gè)電極組件,或?yàn)槎鄠€(gè)植入位置選擇雙核組件。使表面電極和植入電極的組合記錄腦表面和腦皮層。可將短和長電極混合在一個(gè)陣列中,以記錄并刺激高達(dá)10毫米深的腦組織結(jié)構(gòu)。
上圖:配置有不同電極長度的單個(gè)Matrix Array™,對大腦中不同區(qū)域進(jìn)行定位。
規(guī)格:
通道數(shù) | 64, 128, 256 |
X 軸跨度 | Up to 1.8 mm |
Y 軸跨度 | 0.6 mm - 3 mm |
Z 軸跨度 | Up to 15 mm |
電極間距(見Y軸跨度) | 200 μm, 300 μm, 600 μm,800 μm, 1000 μm (訂購時(shí)注明) |
線纜長度 | 30 mm(定制) |
電極位點(diǎn)的金屬材質(zhì) | 銥 |
電極厚度 | 50 μm |
提供的Packages | 大型動物慢性, 小型動物慢性, Smart, MRI, Acute |
6. Qtrode: 4 通道電極
4通道電極有精確的,易于重復(fù)使用的幾何形狀。
Qtrode是一種4通道電極,適用于較低通道數(shù)或替代使用導(dǎo)線記錄的急性和慢性實(shí)驗(yàn)。Qtrodes的技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)電極相同,可快速交貨。
Qtrodes可以達(dá)到10mm深的腦區(qū),線性位置布局可以跨越150μm, 300μm或600μm的深度。適配器可與常用的Headstage接口連接。 Qtrode也可以配合微型驅(qū)動器的長期使用(dDrive或oDrive)。
上圖:電極接口板(EIB)允許將多個(gè)Qtrodes植入同一只動物。它與QIB板(未示出)連接,通過單個(gè)16通道Omnetics接口的Headstage連接。
規(guī)格:
電極位點(diǎn)的 金屬材質(zhì) | 銥 (標(biāo)準(zhǔn)) |
電極厚度 | 15 μm or 50 μm (不同的設(shè)計(jì)) |
電極長度 | 3, 5, 10 mm (不同的設(shè)計(jì)) |
位點(diǎn)布局 | Linear 或 Tetrode |
通道數(shù) | 4 |
分裝方式 | 急性,慢性(CQ4) 慢性混合(HQ4) 光纖,EIB / QIB |
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