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美國(guó)NeuroNexus光遺傳電極

美國(guó)NeuroNexus光遺傳電極

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  • 更新時(shí)間:2024-09-19
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產(chǎn)品介紹

光遺傳電極-美國(guó)NeuroNexus

產(chǎn)品介紹

NeuroNexus擁有很多不同的產(chǎn)品來(lái)支持光遺傳學(xué)的研究。我們的光遺傳產(chǎn)品包括光電極、植入式光纖、光源系統(tǒng)及其配件。如果您是光遺傳學(xué)領(lǐng)域的新手,我們還為您提供多種不同的光遺傳學(xué)產(chǎn)品讓您順利開(kāi)始您的科學(xué)研究。

任何標(biāo)準(zhǔn)電極陣列都可以升級(jí)為一個(gè)光電極,使得光刺激和神經(jīng)記錄同步進(jìn)行。將光纖(直徑105μm)放在電極柄的頂部,光纖的*位于電極記錄位點(diǎn)以上200μm(距離可根據(jù)要求定制)。

NeuroNexus現(xiàn)在提供用于擴(kuò)展光遺傳學(xué)應(yīng)用的多光纖電極,其結(jié)構(gòu)緊湊并且堅(jiān)固。使用蝕刻光纖(65μm),每個(gè)電極(每個(gè)電極陣列柄一根光纖)可以連接多達(dá)8根光纖。由于光纖和NeuroNexus微電極陣列的物理限制,所以會(huì)有一些設(shè)計(jì)限制。多光纖光電僅適用于LP(無(wú)套管)package。

 

規(guī)格:

光纖 熔融石英, 50 μm or 105μm 核心, 多模
外徑 62.5 μm (蝕刻), 125 μm, or 400 μm
重量(連接器) < 0.5 g
傳輸率 > 75% (50 μm 核心> 到 105 μm 核心)
數(shù)值孔徑 0.22, 0.66
持續(xù)性 經(jīng)過(guò)40次連接后傳輸變化< 5%
旋轉(zhuǎn)測(cè)試 1次旋轉(zhuǎn)后變化< 2%
連接強(qiáng)度 掙脫力>300g(典型)

 

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